场效应管做烙铁头的原理是通过电子在半导体材料中的运动，控制热电器件发热，从而实现加热烙铁头的目的。
场效应管可以根据电场强度的变化来控制电路中的电流，从而实现对热电器件加热的控制。在烙铁头的设计中，通过场效应管和电路来控制烙铁头的加热温度，从而更好地控制和维护烙铁的性能，并延长烙铁头的使用寿命。
有区别，区别在于，场效应管、三极管、MOS管和IGBT在电子领域中各自扮演着重要的角色，它们之间存在一些显著的区别。
首先，场效应管（FET）和三极管在结构和工作原理上有所不同。场效应管是单极型管子，其工作时只有空穴或自由电子参与导电。它是一种电压控制器件，输入阻抗大，功耗低，没有二次击穿现象，且噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。而三极管是双极型管子，其工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。三极管是电流控制器件，输入阻抗小，通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管的寄生电容会对信号产生延迟影响。由于寄生电容与场效应管的电路相连，信号传输时会受到电容的影响，电容会导致信号的延迟。
寄生电容的大小取决于管子的特性，管子越小，寄生电容越小，影响信号的延迟也越小。
但是在一些高频环境中，管子的性能很容易受到寄生电容的影响，延迟会变得更加明显，需要通过优化电路设计和使用质量更高的管子来解决问题。